Chủ đề nóng: Phương pháp kỷ luật tích cực - Cổ học tinh hoa - Những thói hư tật xấu của người Việt - Công lý: Việc đúng nên làm - Giáo án Điện tử - Sách giáo khoa - Học tiếng Anh - Bài giảng trực tuyến - Món ăn bài thuốc - Chăm sóc bà bầu - Môi trường - Tiết kiệm điện - Nhi khoa - Ung thư - Tác hại của thuốc lá - Các kỹ thuật dạy học tích cực
- Dạy học phát triển năng lực - Chương trình giáo dục phổ thông
Tập tin:Cross-section of nano-crystalline bismuth antimony telluride grains.jpg
Từ VLOS
Kích thước của hình xem trước: 320×240 điểm ảnh. Độ phân giải khác: 404×303 điểm ảnh.
Tập tin gốc (404×303 điểm ảnh, kích thước tập tin: 77 kB, kiểu MIME: image/jpeg)
Module mạch khép kín dạng đơn giản được đề xuất bởi các nhà nghiên cứu thuộc Đại học Boston và MIT nhằm chứng thực cách mà một hợp kim chất bán dẫn được thiết kế lại trong một khối lớn, đạt được những cải thiện quan trọng về hiệu suất. Hình ảnh: Science/AAAS. Bản mẫu:Sử dụng hợp lý
Lịch sử tập tin
Nhấn vào một ngày/giờ để xem nội dung tập tin tại thời điểm đó.
Ngày/Giờ | Hình nhỏ | Kích cỡ | Thành viên | Miêu tả | |
---|---|---|---|---|---|
hiện | 06:59, 3/9/2008 | 404×303 (77 kB) | Nam Hy Hoàng Phong (Thảo luận | đóng góp) | Module mạch khép kín dạng đơn giản được đề xuất bởi các nhà nghiên cứu thuộc Đại học Boston và MIT nhằm chứng thực cách mà một hợp kim chất bán dẫn được thiết kế lại trong một khối lớn, đ |
- Bạn không có thể ghi đè lên tập tin này.
Các trang sử dụng tập tin
Trang sau có liên kết đến tập tin này: