Giải Nobel Vật lý 2007
Hôm nay, ngày 9 tháng 10 năm 2007, Hội đồng xét tặng giải Nobel tại Viện Karolinska, Thụy Điển đã chính thức công bố giải Nobel Vật lý năm 2007.
Giải Nobel Vật lý năm nay đã thuộc về hai nhà khoa học của Pháp và Đức.
1. Albert Fert: Quốc tịch Pháp. Sinh năm 1938 tại Carcassonne, Pháp. Tốt nghiệp Tiến sỹ năm 1970 tại trường Đại học Nam Pari (Université Paris-Sud), Orsay, Pháp và trở thành giáo sư của trường vào năm 1976.
2. Peter Grünberg: Quốc tịch Đức. Sinh năm 1939 tại Pilsen. Tốt nghiệp Tiến sỹ năm 1969 tại đại học kỹ thuật Darmstad (Technische Universität Darmstadt) Đức, Giáo sư Viện nghiên cứu vật lý chất rắn thuộc Trung tâm nghiên cứu Jülich, CHLB Đức từ năm 1972. Ông cũng đã có thời gian làm việc tại ĐH Köln, CHLB Đức.
Phát minh cách đây gần 20 năm[sửa]
Hiệu ứng từ trở (magnetoresistance) là hiện tượng giảm điện trở của một loại vật chất nào đó khi có mặt của từ trường. Hiệu ứng từ trở phát hiện lần đầu tiên bởi Thomson (hoặc Kevil) năm 1856, sau này được biết đến với tên hiệu ứng từ trở thường ( OMR Ordinary Magnetoresistance- Thomson 1856). Trong các thí nghiệm của họ, hai nhà khoa học cùng cộng sự của họ quan sát hiện tượng giảm mạnh điện trở của hệ dị cấu trúc gồm các lớp sắt từ và vật liệu thường xếp chồng lên nhau liên tục khi có mặt từ trường. Đối với hệ như vậy, sự thay đổi điện trở mạnh đến nỗi để miêu tả nó người ta dùng từ "giant" (khổng lồ, cực lớn, khác thường...), và hiệu ứng được gọi là hiệu ứng từ trở khổng lồ ( GMR - Giant Magnetoresistance). Phát hiện này thu hút sự quan tâm của các nhà vật lý, kỹ thuật và mang lại những ứng dụng to lớn.
Những ứng dụng to lớn[sửa]
Giant magnetoresistance (GMR) được cồng đồng nghiên cứu vật lý và vật lý ứng dụng đầu tư nhiều thời gian, công sức để phát triển. Thực tế cũng cho thấy những phát minh mang tính đột phá sớm hay muộn sẽ mang lại những tiến bộ và lợi ích to lớn cho cộng đồng. GMR cũng không là ngoại lệ.
Gần hai chục năm qua nhiều sản phẩm mới ra đời dựa trên nguyên lý của GMR. IBM là hãng đầu tiên cho ra đời ổ cứng dựa trên nguyên lý hệ thống GMR. Các thiết bị cảm ứng dùng GMR gắn trên chip (On-chip GMR senssor), la bàn trạng thái rắn và nhiều sản phẩm khác ứng dụng GMR được chế tạo.
Thiết bị đọc ứng dụng GMR ra đời và nhanh chóng trở thành công nghệ chuẩn (standard technology). Hầu hết các kỹ thuật chế tạo đầu đọc được phát triển gần đây đều dựa trên những nghiên cứu lấy GMR làm cơ sở.
Đầu đọc GMR scan các đĩa ghi và ghi nhận những thay đổi của điện trường. Ổ cứng càng nhỏ và có mật độ ghi (độ nén) càng lớn, diện tích ghi nhận cho mỗi thông tin riêng biệt càng nhỏ và điện trường càng yếu. Các đầu đọc GMR có thể chuyển những thay đổi nhỏ của điện trường thành biến đổi của của điện trở dẫn đến sự thay đổi của dòng điện do đầu đọc phát ra. Dòng điện là tín hiệu từ đầu đọc và cường độ khác nhau của nó tương ứng cới các số 1 và 0.
GMR dựa trên những kỹ thuật mới được phát triển vào vào cuối những năm 70 cho phép sản xuất những lớp vật liệu mỏng.
Nếu ứng dụng thành công GMR trong các cấu trúc gồm những lớp mỏng kích vài nguyên tử thì GMR có thể được coi như một trong những ứng dụng đầu tiên của lĩnh vực công nghệ nano đầy hứa hẹn.
Một chút giải thưởng[sửa]
Phần thưởng trị giá 10 triệu Krone Thụy Điển (tương đương 1,5 triệu đô la Mỹ) sẽ được trao cho hai nhà khoa học để nghi nhận những đóng góp của họ.
Xem thêm[sửa]
- http://www.stoner.leeds.ac.uk/research/gmr.htm
- http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2007/press.html
- http://de.wikipedia.org/wiki/Peter_Gr%C3%BCnberg
Người dịch không rành vật lý. Rất cảm ơn những chỉnh sửa của các thành viên.
